我們就將原來只能從定義的角度進行區分的SE1、SE2、SE3，轉變成出射角度不同的軸向SE、高角SE和低角SE。而按照角度進行分類之后，在實際探測信號時是完全可以對其進行區分的，我們會在之后的篇幅中對其進行詳細的介紹。
這樣，我們現在可以總結一下幾種類型SE的特點，如表2。
很多人都用過場發射掃描電鏡，對樣品室內SE探測器得到的低角SE2信號，與鏡筒內SE探測器得到的高位SE1信號的圖像對比會深有感觸，很明顯兩者的立體感相差很大，見圖5。
圖5. 低角SE圖像(左)和高角SE圖像(右)
但是對鏡筒內的SE信號再次拆解為高角SE和軸向SE可能會覺得很陌生，雖然前面我們已經對二者進行了介紹，但是畢竟不夠直觀。
我們不妨看看圖6，兩張圖都是使用鏡筒內探測器獲得，分辨率和立體感都很類似，總體效果非常接近，但是軸向SE(左圖)受到小窗口聚焦碳沉積的影響，而同時獲得的高角SE(右圖)的碳沉積影響則輕微很多。
圖6. 軸向SE圖像(左)和高角SE圖像(右) 圖7的樣品為硅片上的二維材料，左圖為高角SE圖像，右圖為軸向SE圖像，軸向SE的靈敏度明顯高于高角SE。
圖7. 硅片上的二維材料，高角SE圖像(左)和軸向SE圖像(右)
圖8的樣品為絕緣基底上的二維材料，左圖為高角SE圖像，右圖為軸向SE圖像，可以看到軸向SE受到荷電的影響也要高于高角SE。
圖8. 絕緣基底上的二維材料，高角SE圖像(左)和軸向SE圖像(右)
總結一下，我們將二次電子拆解成軸向、高角和低角三個不同的類型，它們沒有優劣之分，均有自己的特點，有優點也有缺點。我們只有在實際操作時發揮出每種信號的優勢，才能獲得最適合的圖像。
好了，關于SE的分類相對比較簡單，相信您已經完全理解，我們將在下一篇中詳細說一下BSE。
為了更好的理解這篇的內容，讓我們通過幾張SE圖像來實際感受一下不同類型SE之間的差異吧!
