33. 電子束引致電流(Electron-beam induced Current , EBIC)：當一個p-n接面(Junction)經電子束照射后，會產生過多的電子-空位對，這些載子擴散時被p-n接面的電場收集，外加線路時即會產生電流。
34. 陰極發光(Cathodoluminescence)：當電子束產生之電子-空位對再結合時，會放出各種波長電磁波，此為陰極發光(CL)，不同材料發出不同顏色之光。
35. 樣品電流(Specimen Current)：電子束射到樣品上時，一部份產生二次電子及背向散射電子，另一部份則留在樣品里，當樣品接地時即產生樣品電流。
36. 電子偵測器有兩種，一種是閃爍計數器偵測器(Scintillator)，常用于偵測能量較低的二次電子，另一種是固態偵測器(solid state detector)，則用于偵測能量較高的反射電子。
37. 影響電子顯微鏡影像品質的因素:
A. 電子槍的種類:使用場發射、LaB6或鎢絲的電子槍。B. 電磁透鏡的完美度。C. 電磁透鏡的型式: In-lens ,semi in-lens, off-lensD. 樣品室的潔凈度: 避免粉塵、水氣、油氣等污染。E. 操作條件: 加速電壓、工作電流、儀器調整、樣品處理、真空度。F. 環境因素: 振動、磁場、噪音、接地。
38. 如何做好SEM的影像，一般由樣品的種類和所要的結果來決定觀察條件，調整適當的加速電壓、工作距離 (WD)、適當的樣品傾斜，選擇適當的偵測器、調整合適的電子束電流。
39. 一般來說，加速電壓提高，電子束波長越短，理論上，只考慮電子束直徑的大小，加速電壓愈大，可得到愈小的聚焦電子束，因而提高分辨率，然而提高加速電壓卻有一些不可忽視的缺點：
A. 無法看到樣品表面的微細結構。B. 會出現不尋常的邊緣效應。C. 電荷累積的可能性增高。D. 樣品損傷的可能性增高。因此適當的加速電壓調整，才可獲得*清晰的影像。
40. 適當的工作距離的選擇，可以得到*好的影像。較短的工作距離，電子訊號接收較佳，可以得到較高的分辨率，但是景深縮短。較長的工作距離，分辨率較差，但是影像景深較長，表面起伏較大的樣品可得到較均勻清晰的影像。
41. SEM樣品若為金屬或導電性良好，則表面不需任何處理，可直接觀察。若為非導體，則需鍍上一層金屬膜或碳膜協助樣品導電，膜層應均勻無明顯特征，以避免干擾樣品表面。金屬膜較碳膜容易鍍，適用于SEM影像觀察，通常為Au或Au-Pd合金或Pt。而碳膜較適于X光微區分析，主要是因為碳的原子序低，可以減少X光吸收。
42. SEM樣品制備一般原則為:
A. 顯露出所欲分析的位置。
B. 表面導電性良好，需能排除電荷。C. 不得有松動的粉末或碎屑(以避免抽真空時粉末飛揚污染鏡柱體)。D. 需耐熱，不得有熔融蒸發的現象。E. 不能含液狀或膠狀物質，以免揮發。F. 非導體表面需鍍金(影像觀察)或鍍碳(成份分析)。
43. 鍍導電膜的選擇，在放大倍率低于1000倍時，可以鍍一層較厚的Au，以提高導電度。放大倍率低于10000倍時，可以鍍一層Au來增加導電度。放大倍率低于100000倍時，可以鍍一層Pt或Au-Pd合金，在超過100000時，以鍍一層超薄的Pt或Cr膜較佳。
44. 電子束與樣品作用，當內層電子被擊出后，外層電子掉入原子內層電子軌道而放出X光，不同原子序，不同能階電子所產生的X光各不相同，稱為特征X光，分析特征X光，可分析樣品元素成份。
45. 分析特征X光的方式，可分析特征X光的能量分布，稱為EDS，或分析特征X光的波長，稱為WDS。X光能譜的分辨率，在EDS中約有100~200eV的分辨率，在WDS中則有5~10eV的分辨率。由于EDS的分辨率較WDS差，因此在能譜的解析上，較易產生重迭的情形。
46. 由于電子束與樣品作用的作用體積(interaction volume)的關系，特征X光的產生和作用體積的大小有關，因此在平面的樣品中，EDS或WDS的空間分辨率，受限于作用體積的大小。
